Category Archives: 新聞 (traditional Chinese)

IEMN 顯示在 ALLOS 的新矽上氮化鎵磊晶圓上超過 1400V 的電壓

法國阿斯克新城和德國德勒斯登– 2018 年 2 月 1 日 – 來自 IEMN 最新的結果顯示,ALLOS 即將推出用於 1200V 裝置的矽上氮化鎵磊晶圓產品,其崩潰電壓之縱向和橫向量測均超過 1400V。 由法國 IEMN 研究中心 Farid Medjdoub 博士所組成的研究團隊,運用了德國 ALLOS Semiconductors 所提供的兩種不同矽上氮化鎵磊晶圓來製作裝置並進行量測。其中之一是 ALLOS 即將推出,專為 1200V 裝置應用所設計的產品原型。IEMN 以這款磊晶圓,實現了縱向超過 1400V 和橫向(接地)超過 1600V 的擊穿。另一款磊晶圓是 ALLOS 針對 600V 應用的既有產品,其同樣顯示出非常高的 1200V 崩潰電壓以及更高的橫向和縱向量測。 用於 1200V 裝置應用的新磊晶圓產品來自 ALLOS 正在進行中的內部開發計畫。其強大的效能源自於創新的結構,結合 ALLOS 獨特的應變工程和高結晶品質方法,採取其他措施來抑制漏電並進一步增強崩潰電壓。這是在不影響其他重要參數(像是結晶品質和晶圓弓形度)以及不導入碳摻雜的情況下實現。Epi 生長係在標準的 Aixtron G5 MOCVD 反應器上進行。 在 2017 年 11

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VEECO和ALLOS演示業界領先的200MM GAN-ON-SILICON性能來實現MICRO-LED的應用

Plainview,N.Y.,2017年11月1日 – Veeco Instruments Inc.(Nasdaq:VECO)今天宣布與ALLOS Semiconductors(ALLOS)完成一項戰略措施,以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 Veeco與ALLOS合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel® Single-Wafer MOCVD系統上,以便於現有的矽生產線上實現生產Micro-LED。

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晶元光電取得ALLOS應用於GaN-on-Si的磊晶技術授權

台灣新竹訊,2015年3月11號。晶元光電取得ALLOS Semiconductors應用於GaN-on-Si的技術授權並成功完成第一階段的技術移轉。 台灣首屈一指的LED製造商晶元光電與德國的工程顧問公司ALLOS Semiconductors於今日共同宣布,晶元光電取得GaN-on-Si的技術授權並已經成功完成第一階段的技術移轉。

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