Category Archives: 新闻 (simplified Chinese)

利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片,将 microLED 应用于硅产业领域

德国德累斯顿 – 2020 年 3 月 30 日 – 为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外,公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。 产量对于 microLED 显示器的成功起着至关重要的作用。它会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的成本,必须采用大晶片直径。这对于 microLED 应用而言尤其如此,它将来自 CMOS 生产线的晶片与 LED 外延片集成(如通过粘合)。对比蓝宝石基氮化镓 (GaN-on-sapphire) 实现的更小直径,匹配的晶片直径甚至还起到了促进作用。ALLOS 团队已采用其独有的应变工程技术来进一步提高波长一致性,并于 2019 年 2 月在 Veeco 的 Propel 产品上展示了 200 mm 的 GaN-on-Si LED 外延片,标准差 (STDEV) 低至 0.6 nm。 ALLOS 的最新研究结果表明,该技术现具有出色的可复制性,200 mm 的波长一致性始终低于

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Veeco 与 ALLOS 以技术合作加快为全球主要客户提供 200 mm 硅基氮化镓 microLED 应用

纽约普莱恩维尤 – 2018 年 11 月 8 日 – Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 与 ALLOS Semiconductors GmbH 今日宣布取得又一阶段的合作成果,双方共同努力,致力于为 microLED 生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。两家公司最近合作的宗旨是,在为全球范围内多家杰出的消费类电子产品公司生产外延片的同时,展示 ALLOS 200 mm 硅基氮化镓外延片产品技术在 Veeco Propel® MOCVD 反应器上的可复制性。 “要将 microLED 技术转化为生产,仅依据单项指标展示主导价值是不够的。我们必须确保每种外延片的整套规格都具有出色的可重复性和收益,”Veeco Compound Semiconductor 业务部门高级副总裁兼总经理 Peo Hansson 博士表示。“此次成功联合再次肯定 Veeco 的优秀 MOCVD 专业知识与 ALLOS 硅基氮化镓外延片产品技术强强结合,能够为客户提供经验证的、可靠的创新方案,加速推进 microLED 应用。” 作为标准,传统 LED 技术通过分类和分级实现波长一致性。但鉴于 microLED 尺寸小、数量多而无法分类和分级,因此,外延沉积的一致性变得更为重要。要使大批量生产 microLED 显示器的承诺变成现实,最重要的成功要素在于实现极佳的发射波长一致性,这样就不需要进行单独的 microLED 芯片测试和分选。根据业内目标要求,外延片分级应介于

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LEDinside与德国ALLOS的CEO就microLED的未来前景展开交流

LEDinside黄女士就即将到来的microLED市场采访了德国半导体技术公司ALLOS的首席执行官Burkhard Slischka先生。 在ALLOS看来,硅基氮化镓技术是实现成本控制和增加产量的关键推动因素。 为了证实这个观点,本次采访主要就外延片的均匀性、CMOS生产线的使用和300mm硅基氮化镓外延片的可行性以及LED氮化镓外延片分别以蓝宝石为衬底和硅为衬底时的性能比较这几个观点展开讨论。 您也可以点击这里阅读完整的访问。 LEDinside及其台湾市场新闻媒体Trendforce是LED产业与技术新闻最顶尖的汇集地。我们非常高兴能与他们的读者分享ALLOS就LED 产业未来的看法。这也显示了ALLOS对中国市场的信心和承诺。此外,请不惜赐教,如有疑问我们也很乐意回答您们提出的任何问题。 The English version of the interview you can find here.

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IEMN 结果显示 ALLOS 新型硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的击穿电压

法国阿斯克新城和德国德累斯顿 – 2018 年 2 月 1 日 – 来自电子、微电子及纳米技术研究院 (IEMN) 的最新结果显示,ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。  法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士领导的一支团队制造出了器件,并在由德国 ALLOS Semiconductors 公司提供的两款不同的硅基氮化镓外延片产品上进行了测量。其中之一是 ALLOS 即将推出的专为 1200 V 器件应用设计的产品的原型。IEMN 借助该外延片实现了超过 1400 V 的纵向和 1600 V 的横向(接地)击穿电压。另一款外延片是 ALLOS 针对 600 V 应用推出的成熟产品,同样显示出非常高的 1200 V 击穿电压以及更高的横向和纵向测量值。 适用于 1200 V 器件应用的新型外延片产品来自 ALLOS 正在进行的一项内部开发计划。该产品的强劲性能归功于一个创新的结构,该结构结合了 ALLOS

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维易科(VEECO)和ALLOS展示行业领先的200MM硅基氮化镓性能,推动micro-LED的应用

纽约普莱恩维尤(Plainview),2017年11月1日– Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)达成了一项战略举措,展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝/绿光micro-LED的生产。维易科和ALLOS合作将其专有外延技术转移到Propel® 单晶圆MOCVD系统,从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。

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