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IEMN 结果显示 ALLOS 新型硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的击穿电压

法国阿斯克新城和德国德累斯顿 – 2018 年 2 月 1 日 – 来自电子、微电子及纳米技术研究院 (IEMN) 的最新结果显示,ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。  法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士领导的一支团队制造出了器件,并在由德国 ALLOS Semiconductors 公司提供的两款不同的硅基氮化镓外延片产品上进行了测量。其中之一是 ALLOS 即将推出的专为 1200 V 器件应用设计的产品的原型。IEMN 借助该外延片实现了超过 1400 V 的纵向和 1600 V 的横向(接地)击穿电压。另一款外延片是 ALLOS 针对 600 V 应用推出的成熟产品,同样显示出非常高的 1200 V 击穿电压以及更高的横向和纵向测量值。 适用于 1200 V 器件应用的新型外延片产品来自 ALLOS 正在进行的一项内部开发计划。该产品的强劲性能归功于一个创新的结构,该结构结合了 ALLOS

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维易科(VEECO)和ALLOS展示行业领先的200MM硅基氮化镓性能,推动micro-LED的应用

纽约普莱恩维尤(Plainview),2017年11月1日– Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)达成了一项战略举措,展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝/绿光micro-LED的生产。维易科和ALLOS合作将其专有外延技术转移到Propel® 单晶圆MOCVD系统,从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。

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