LEDinside对ALLOS首席技术官Atsushi Nishikawa博士进行了独家专访，就硅基Micro LED如何影响Micro LED显示器生产的整个供应链，尤其是在成本和良品率方面，进行了交流与讨论。 继Nishikawa博士在TrendForce Micro LED论坛2020的线上演讲后，LEDinside与Nishikawa博士就“在提供合适的Micro LED外延片的情况下，硅半导体行业如何凭借卓越的制造能力节省Micro LED的生产成本，提高其良率”进行了更深层次的交流。ALLOS的200和300mm Micro LED外延片采用1 bin® GaN-on-Si技术，为实现Micro LED的量产的突破性进展解锁了极其重要的一环。 您可以在LEDinside网站上阅读英文或中文(繁体)的独家采访。 若要进入TrendForce Micro LED论坛2020的线上演讲，请点击此链接。
德国德累斯顿– 2020年7月21日- ALLOS半导体公司与阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的Ohkawa教授及其团队合作，希望在大直径硅衬底上实现高能效氮化物红光LED。 在这次合作中，研究小组解决了一些基础性问题，比如大的晶格失配和量子限制斯塔克效应(QCSE)，这些问题阻碍了红光氮化物LED在实际工业中的应用。特别是在新兴的Micro LED显示领域，除了在氮化物系统中已经建立的蓝光和绿光LED外，还在大直径晶片上启用红光LED有强烈的需求，以降低制造复杂性和成本。 在这种情况下，Ohkawa教授和他的团队开发了一种基于氮化铟镓(InGaN)的红光LED堆栈，利用局部应变补偿和改进的MOCVD炉，其具有低正向电压小于2.5 V和高效率的特点。研究人员已经在蓝宝石和Ga2O3基片上制作了红光LED[1,2]。为了通过在晶圆级(特别是在大直径的晶圆上)上使用应变工程来获得更高性能的红光LED，该团队正在与ALLOS合作，将其工作扩展到硅基的LED。这也为大规模生产带来了巨大的优势，因为它可以应用高达300mm直径的晶圆，因此可以使用硅工艺生产线上的工艺。对于Micro LED显示屏——特别是用于增强现实(AR)应用的单片集成微显示屏——这是另一个重要的推动因素。 ALLOS独有的硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术可以实现超高晶体质量，其穿透位错密度（TDD）约为2 x 108 cm-2，这是实现至少与蓝宝石上相同性能的红光LED的前提条件。此外，ALLOS精确的应变工程技（可以使蓝光和绿光LED以及200mm和300mm直径的平弓晶圆具有良好的发光均匀性）被用于优化红光LED的生长条件。 图1：ALLOS的在线过程控制实现了+/- 5 µm的弓度。 两支团队结合各自独特的技术，去解决材料应变并优化硅基氮化镓和红光LED的晶体生长条件。为此，KAUST团队将在ALLOS的硅基氮化镓（GaN-on-Si-）层上生长其红光LED堆栈，并在合作期间对其进行微调，以优化KAUST的红光LED堆栈的性能： 图2：在此次合作中，ALLOS采用了其成熟的方法，将不同的LED堆栈与高晶体品质和应变缓冲层技术进行融合。 ALLOS的联合创始人兼首席技术官（CTO）Nishikawa博士评论道:“从个人经验来看，我知道实现高效的红光LED是多么具有挑战性。从ALLOS的角度来说，我们可以提供我们的蓝光和绿光高质量硅基氮化镓（GaN-on-Si）微LED外延片，它的直径最大可达300mm。此外，我们还看到了我们运用应变工程方面的独特优势能为提高红光LED性能做出贡献的机会。” 谈到这个机会，Ohkawa教授说:“我们的团队已经开发出一种高效的红光LED堆栈，并在这个极具挑战性的领域中不断突破极限。在与ALLOS的谈话中，我们当然对可拓展到300mm大直径硅片很感兴趣，但在如此大的工艺窗口中如此精确地控制应变工程的能力，有望为红光LED的性能带来更多进步。” 关于KAUST的Ohkawa教授： Ohkawa教授致力于氮化半导体的开发超过20年。他和他来自KAUST的团队已经成功开发了一种特殊的应变补偿红光LED堆栈，此外还采用了他们自己的MOCVD炉设计方案，这使得通过利用一些特性[3]实现高质量和高铟含量的InGaN合金成为可能。这些技术为高性能氮化物红光LED在微型LED邻域的应用开辟了一条新的道路。现在他和他的团队希望利用ALLOS的硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术在大直径的晶圆上展示他们的红光LED技术。 关于ALLOS Semiconductors： ALLOS团队回顾了17年来成功开发直径300mm及以下硅基氮化镓外延片技术的历程，如今正致力于将其先进的技术应用于实现革命性的基于微型LED的下一代显示屏。该公司可以通过IP授权和将工艺迁移到客户的MOCVD炉来提供技术服务。此外，ALLOS还在与合作伙伴合作，推进促进微型LED量产所需的技术。
德国，海尔布隆和德累斯顿- 2020年7月8日- 光伏电池III-V族外延片供应商AZUR SPACE和硅基氮化镓外延片专家ALLOS Semiconductors 共同宣布， AZUR SPACE已收购ALLOS Semiconductors 的电子业务。AZUR SPACE将利用收购的技术将其III-V 族外延片业务扩展到蓬勃发展的硅基氮化镓高功率电子和射频外延片市场。ALLOS Semiconductors 将继续开展其光电子业务，并聚焦于新兴Micro LED显示屏市场。 AZUR SPACE 在开展为高功率电子（HPE）供应III-V 族外延片业务之前, 进行了几年的谨慎准备和投资。除了供应硅基氮化镓外延片，公司还投身于HPE 市场的砷化镓外延片领域。据AZUR SPACE的首席执行官Juergen Heizmann先生所说，这种业务扩张是非常自然的：“我们是制造基于III-V族外延片的宇航级多结光伏面板的先进供应商，我们拥有多个全天候运行的MOVCD，年晶圆产能50万片。我们的技术和专业技能完全契合正在迅速崛起的III-V族 HPE外延片市场的需求。”
德国德累斯顿 – 2020 年 3 月 30 日 – 为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产良率方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外，公司还报道了其在 300 mm 外延片方面所取得的成功。 良率对于 microLED 显示屏的成功起着至关重要的作用。它会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的生产成本，大尺寸晶圆十分重要。这对于
纽约普莱恩维尤 – 2018 年 11 月 8 日 – Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 与 ALLOS Semiconductors GmbH 今日宣布取得又一阶段的合作成果，双方共同努力，致力于为 microLED 生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。两家公司最近合作的宗旨是，在为全球范围内多家杰出的消费类电子产品公司生产外延片的同时，展示 ALLOS 200 mm
LEDinside黄女士就即将到来的microLED市场采访了德国半导体技术公司ALLOS的首席执行官Burkhard Slischka先生。 在ALLOS看来，硅基氮化镓技术是实现成本控制和增加产量的关键推动因素。 为了证实这个观点，本次采访主要就外延片的均匀性、CMOS生产线的使用和300mm硅基氮化镓外延片的可行性以及LED氮化镓外延片分别以蓝宝石为衬底和硅为衬底时的性能比较这几个观点展开讨论。 您也可以点击这里阅读完整的访问。 LEDinside及其台湾市场新闻媒体Trendforce是LED产业与技术新闻最顶尖的汇集地。我们非常高兴能与他们的读者分享ALLOS就LED 产业未来的看法。这也显示了ALLOS对中国市场的信心和承诺。此外，请不惜赐教，如有疑问我们也很乐意回答您们提出的任何问题。 The English version of the interview you can find here.
法国阿斯克新城和德国德累斯顿 – 2018 年 2 月 1 日 – 来自电子、微电子及纳米技术研究院 (IEMN) 的最新结果显示，ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。 法国 IEMN 研究所的 Farid Medjdoub
纽约普莱恩维尤(Plainview)，2017年11月1日– Veeco 公司 (Nasdaq: VECO)今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)达成了一项战略举措，展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝/绿光micro-LED的生产。维易科和ALLOS合作将其专有外延技术转移到Propel® 单晶圆MOCVD系统，从而在现有的硅生产线上实现生产micro-LED。 “使用Propel反应腔，我们就拥有了一项MOCVD 技术，这项技术能够实现高产量的GaN外延，满足在200毫米硅生产线上生产micro-LED器件的所有要求，” ALLOS Semiconductors的首席执行官Burkhard Slischka这样说。“不到一个月时间我们就已经在Propel上对我们的技术进行了验证，并且获得了无裂纹、无回熔的晶圆，翘曲度低于30微米，晶体质量高，厚度均匀性优异，波长均匀性小于1纳米。同Veeco携手，ALLOS期待着将该技术在micro-LED产业中更为推广。” Micro-LED显示技术由<30×30平方微米的红、绿和蓝(RGB)无机LED组成，这些LED被转化为显示屏背板，以形成亚像素。与有机LED(OLED)和液晶显示(LCD)相比，这些高效的LED直接发射功耗更低，却可以为移动显示器、电视和可穿戴式计算机提供优异的亮度和对比度。Micro-LED的制造要求优质、均匀的外延晶圆，以满足显示屏的产量和成本控制的要求。 “和竞争对手的MOCVD平台相比， Veeco的TurboDisc®技术提供的制程窗口更大，因此Propel能提一流的均匀性同时还能获得优良的膜品质，”维易科高级副总裁兼MOCVD运营总经理Peo Hansson博士这样说。“将Veeco领先的MOCVD专业技术和ALLOS的硅基氮化镓外延晶片技术相结合，使我们客户能够开发出低成本的micro-LED，以便于在新的市场中开拓新的应用。” 关于Veeco Veeco(NASDAQ: VECO)是一家创新半导体工艺设备的领先制造商。我们成熟的MOCVD、光刻、激光退火、离子束和单晶片蚀刻与清洁技术在制造固态照明和显示器LED以及先进半导体器件的制造中起着不可或缺的作用。凭借旨在最大限度地提高性能、产量和拥有成本的设备，维易科在所有这些服务的市场中拥有技术领先地位。要了解更多关于维易科创新设备和服务方面的信息，请访问www.veeco.com。 关于ALLOS Semiconductors
