Joint press release: Latest results from IEMN show more than 1400 V breakdown voltage for both vertical and lateral measurements on ALLOS’ upcoming GaN-on-Si epiwafer product for 1200 V devices.
Monthly Archives: February 2018
法国阿斯克新城和德国德累斯顿 – 2018 年 2 月 1 日 – 来自电子、微电子及纳米技术研究院 (IEMN) 的最新结果显示，ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。
法國阿斯克新城和德國德勒斯登– 2018 年 2 月 1 日 – 來自 IEMN 最新的結果顯示，ALLOS 即將推出用於 1200V 裝置的矽上氮化鎵磊晶圓產品，其崩潰電壓之縱向和橫向量測均超過 1400V。