法國阿斯克新城和德國德勒斯登– 2018 年 2 月 1 日 – 來自 IEMN 最新的結果顯示,ALLOS 即將推出用於 1200V 裝置的矽上氮化鎵磊晶圓產品,其崩潰電壓之縱向和橫向量測均超過 1400V。
法國阿斯克新城和德國德勒斯登– 2018 年 2 月 1 日 – 來自 IEMN 最新的結果顯示,ALLOS 即將推出用於 1200V 裝置的矽上氮化鎵磊晶圓產品,其崩潰電壓之縱向和橫向量測均超過 1400V。
Plainview,N.Y.,2017年11月1日 – Veeco Instruments Inc.(Nasdaq:VECO)今天宣布與ALLOS Semiconductors(ALLOS)完成一項戰略措施,以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 Veeco與ALLOS合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel® Single-Wafer MOCVD系統上,以便於現有的矽生產線上實現生產Micro-LED。
台灣新竹訊,2015年3月11號。晶元光電取得ALLOS Semiconductors應用於GaN-on-Si的技術授權並成功完成第一階段的技術移轉。 台灣首屈一指的LED製造商晶元光電與德國的工程顧問公司ALLOS Semiconductors於今日共同宣布,晶元光電取得GaN-on-Si的技術授權並已經成功完成第一階段的技術移轉。